Для производства передовых полупроводниковых устройств, каждый раз после процесса, поверхность кремниевой пластины будет иметь более или менее наличие твердых частиц, остатков металлов или органических остатков и т. д., размер устройства постоянно сокращается и трехмерный. структура устройства возрастающей сложности полупроводникового устройства на загрязнение частицами, концентрацию примесей и количество все более и более чувствительных.
К маске кремниевой пластины на поверхности частиц загрязнения технологии очистки выдвигаются более высокие требования, ключевым моментом является преодоление загрязнения микрочастицами и подложки между большой адсорбцией, многие производители полупроводников используют текущие методы очистки. кислотная стирка, ручная протирка, не говоря уже о медленной эффективности, но также производит вторичное загрязнение. Какой метод очистки больше подходит для очистки полупроводниковых изделий? Лазерная очистка в настоящее время более подходит для того, чтобы при лазерном сканировании прошлого грязь с поверхности материала удалялась, а грязь легко удалялась, не царапала поверхность материала и не производила вторичных повреждений. загрязнение окружающей среды – это гарантированный выбор.
Поскольку размер устройства на интегральной схеме продолжает уменьшаться, процесс очистки от потерь материала и шероховатости поверхности стал обязательным, частицы будут удалены без потери материала, а графические повреждения являются самыми основными требованиями, технология лазерной очистки имеет бесконтактный метод, отсутствие термического эффекта, не приводит к повреждению поверхности очищаемого объекта и не вызывает вторичного загрязнения. Традиционные методы очистки не могут сравниться с преимуществами решения. Это лучший метод очистки для решения проблемы загрязнения полупроводниковые приборы.
